這個(gè)二極管不是所有的MOS管都有，有沒有與生產(chǎn)工藝有關(guān)。一般大功率管工藝為VMOS、TMOS等，就有這個(gè)二極管。它不是特意做出來的，是生產(chǎn)時(shí)自然形成的。小功率管以及集成電路中的MOS管一般沒有這個(gè)二極管。“如果D極電壓高于S極是不是這個(gè)二極管就會(huì)導(dǎo)通”那要看管子的極性，是P溝還是N溝。

　　小功率mos管以及集成電路中的MOS管一般是什么結(jié)構(gòu)?模電書上畫的MOS管的襯底和漏極間應(yīng)該總有這個(gè)二極管的啊，

　　這是生產(chǎn)工藝造成的。漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個(gè)二極管。模擬電路書里講的就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒有這個(gè)二極管。

擴(kuò)展資料

　　相對(duì)于耗盡型，增強(qiáng)型是通過“加厚”導(dǎo)電溝道的厚度來導(dǎo)通，如圖。柵極電壓越低，則p型源、漏極的正離子就越靠近中間，n襯底的負(fù)離子就越遠(yuǎn)離柵極，柵極電壓達(dá)到一個(gè)值，叫閥值或坎壓時(shí)，由p型游離出來的正離子連在一起，形成通道，就是圖示效果。因此，容易理解，柵極電壓必須低到一定程度才能導(dǎo)通，電壓越低，通道越厚，導(dǎo)通電阻越小。

　　由于電場(chǎng)的強(qiáng)度與距離平方成正比，因此，電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度之后，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，也是因?yàn)閚型負(fù)離子的“退讓”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個(gè)導(dǎo)通層，用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導(dǎo)通。但這種管子一般不生產(chǎn)，在市面基本見不到。所以，大家平時(shí)說mos管，就默認(rèn)是增強(qiáng)型的。